此 Infineon mosfet 具有高電流容量、開關和傳導功率損耗最低的優(yōu)點、可實現(xiàn)最高的熱效率。它經(jīng)過 100% 雪崩測試。
經(jīng)過優(yōu)化的總柵極電荷可實現(xiàn)更小的驅動器輸出級
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 50 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0127. Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |