Infineon AUIRFR5410TRL MOSFET
產品詳細信息
Infineon p 溝道 MOSFET 利用最新處理技術實現每硅區域低接通電阻。此優勢結合 HEXFET 功率非常適合聞名的快速切換速度和耐震設備設計,為設計人員提供極其高效和可靠的設備,適用于汽車和各種其他應用。
它是無鉛的
它符合 RoHS 標準
屬性 |
數值 |
通道類型 |
P |
最大連續漏極電流 |
13 A |
最大漏源電壓 |
100 V |
封裝類型 |
DPAK |
安裝類型 |
表面貼裝 |
引腳數目 |
3 |
最大漏源電阻值 |
0.205 Ω |
通道模式 |
增強 |
最大柵閾值電壓 |
4V |
每片芯片元件數目 |
1 |
晶體管材料 |
硅 |