Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經濟高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術利用了碳化硅的強大物理特性，增加了獨特的功能，可提高設備的性能，堅固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進的溝道半導體構建，經過優化可在應用中實現最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。
低電容
優化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅動程序一起使用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-TO247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.142. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.7V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
