Infineon IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET 采用 TO247-3 封裝，基于最先進的溝道半導體工藝構建，經過優化可將性能與可靠性相結合。與基于傳統硅 (Si) 的開關 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比， SiC MOSFET 具有一系列優勢。這些包括 1200 V 開關中的最低柵極電荷和器件電容水平，內部防換向主體二極管無反向恢復損耗，溫度獨立的低切換損耗和無閾值通態特性。
非常低的切換損耗
無閾值開啟狀態特性
寬柵源電壓范圍
基準柵極閾值電壓， VGS (th) = 4.5 V
0V 關閉柵極電壓，用于輕松簡單的柵極驅動
完全可控制 dV/dt
堅固的主體二極管，用于硬換向
溫度無關的關閉開關損耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 26 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | PG-TO247-3 |
| 安裝類型 | 通孔 |
