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Microchip 2N7008-G MOSFET

訂貨號：2N7008-G 品牌：Microchip

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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2N7008 N 通道 MOSFET 晶體管

Microchip 2N7008 是增強(qiáng)模式（常閉）晶體管，利用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)。該設(shè)計將 Bipolar 晶體管的功率處理能力與高輸入阻抗和正溫度系數(shù) MOS 設(shè)備相結(jié)合。

特點(diǎn)

無次級擊穿
低電源驅(qū)動要求
易于執(zhí)行并聯(lián)操作
低 C_ISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式電源漏極二極管
高輸入阻抗和高增益

Microchip 2N7008 N 通道增強(qiáng)型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。此組合可使設(shè)備具有雙極晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。此設(shè)備不會發(fā)生熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應(yīng)用。

無次級擊穿
低功率驅(qū)動要求
易于并聯(lián)
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩(wěn)定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
無鉛 (Pb)

MOSFET 晶體管，Microchip

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	230 mA
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	TO-92
安裝類型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	7.5 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.5V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	1 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
最高工作溫度	+150 °C
寬度	4.06mm
長度	5.08mm
每片芯片元件數(shù)目	1
晶體管材料	Si

暫無

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