新型 mdmesh ? M6 技術(shù)結(jié)合了最新的技術(shù),使 sj 系列中著名的、整合的 mdmesh 得以實現(xiàn)。STMicroelectronics 的新 M6 技術(shù)構(gòu)建于上一代 mdmesh 設(shè)備之上、該技術(shù)將每個區(qū)域的出色 rds (接通)改進與現(xiàn)有最有效的切換行為之一相結(jié)合、并提供用戶友好的體驗、以實現(xiàn)最大的最終應(yīng)用效率。
減少切換損耗
與上一代相比、每區(qū)域的 rds (接通)更低
低柵極輸入電阻
提供齊納保護
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 72 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 36 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.75V |
最小柵閾值電壓 | 3.25V |
最大功率耗散 | 446 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±25 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 5.1mm |
典型柵極電荷@Vgs | 106 nC @ 10 V |
長度 | 15.9mm |
最高工作溫度 | +150 °C |