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      Infineon IPB60R099P7ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IPB60R099P7ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPB60R099P7ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      Infineon 設(shè)計是一 C7 項革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù),符合超級連接( sj )原理,由 Infineon 技術(shù)開創(chuàng)。600V cool mos ? C7 系列結(jié)合了領(lǐng)先的 sj mosfet 供應(yīng)商的經(jīng)驗和高級創(chuàng)新。600V C7 是使用 rds (接通) * a 低于 1Ohm * mm2 的第一項技術(shù)。

      適用于硬切換和軟切換( pfc 和高性能 llc )、將 mosfet dv/dt 堅固性提高到 120V / ns
      由于同類最佳 fom rds (接通) * eoss 和 rds (接通) * qg 、提高了效率
      同類最佳 rds (接通) / 封裝


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 31 A
      最大漏源電壓 650 V
      封裝類型 Pg 至 263-3
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.099 Ω
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      晶體管材料
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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