Infineon coolsic ? 1700 v 、 1000 mΩ m 2 sic mosfet 采用的是 to － 263-7 高爬電距離封裝，經(jīng)優(yōu)化可用于連接到直流鏈路電壓 600 v 至 1000 v 的輔助電源，適用于多種電源應(yīng)用。

針對回彈拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化
極低切換損耗
12 v / 0 v 柵 - 源電壓與回飛控制器兼容
完全可控的 dv/dt 、用于 emi 優(yōu)化
smd 封裝、具有增強(qiáng)的爬電距離和間隙距離、 > 7 mm