Infineon 20V 的一系列 40V - 0.6m? n 通道汽車認(rèn)可功率 mosfet ,采用最新的最佳 mosfet 技術(shù),并采用多種封裝,可滿足各種需求,并實(shí)現(xiàn)低至 Optimos5 40V μ m 的 rds (接通)。新的最佳 mosfet 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低傳導(dǎo)損耗 (同類最佳的 rdson 性能)、低切換損耗(改進(jìn)的切換行為)、改進(jìn)的二極管恢復(fù)和 emc 行為。此 mosfet 技術(shù)采用最先進(jìn)的創(chuàng)新封裝、以實(shí)現(xiàn)最佳的產(chǎn)品性能和質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)終極設(shè)計(jì)靈活性、汽車合格的高電阻器提供各種封裝、以滿足各種需求。Infineon 為客戶提供了電流容量、切換行為、可靠性、封裝尺寸和整體質(zhì)量等方面的穩(wěn)定改進(jìn)。新開發(fā)的集成半橋是一種創(chuàng)新且經(jīng)濟(jì)高效的封裝解決方案、適用于電動機(jī)驅(qū)動和主體應(yīng)用。
用于汽車應(yīng)用的功率 mosfet
n 通道 - 增強(qiáng)模式 - 邏輯電平
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | PG-TDSON |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0011 o |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 20 V, 30V |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |