Infineon SuperSO8 封裝的功率 mosfet 采用新型技術、同時封裝溫度也得到了改善。此新組合可實現更高的功率密度和更高的堅固性。與較低的額定設備相比、 175°c tj_max 功能可在更高的工作接點溫度下提供更大的功率、或在相同的工作接點溫度下提供更長的使用壽命。此外、安全工作區域（ soa ）的性能提高了 20% 。此新封裝功能特別適用于電信、電動機驅動器和服務器等應用。
低 RDS（接通）
經優化可用于同步整流
增強了 SuperSO8 的 175°c 性能
更長的使用壽命
最高效率和功率密度
最高的系統可靠性
熱穩定性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 137 a |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PG-TDSON |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0028 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.3V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
