Taiwan Semiconductor 30V ， 55A ， 8 引腳 N 通道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強型通道模式。它通常用于 BLDC 電動機控制和電池電源管理等應用。
低 RDS (接通) 至有效減少 導電損耗
邏輯電平
低柵極電荷，用于快速電源切換
經過 100% UIS 和 RG 測試
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 WEEE 2002/96/EC
無鹵素，符合 IEC 61249-2-21 標準
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
40W 最大功耗
柵極閾值電壓范圍介于 1.2V-2.5V 之間
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 23 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | SOP |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 15 MΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1.2V |
| 最大功率耗散 | 12.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 寬度 | 3.9mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 4.5 V、37 nC @ 10 V |
| 長度 | 4.85mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
