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訂 貨 號(hào):IMZA65R030M1HXKSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Infineon 具有 SiC MOSFET ,以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟(jì)高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術(shù)利用了碳化硅的強(qiáng)大物理特性,增加了獨(dú)特的功能,可提高設(shè)備的性能,堅(jiān)固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體構(gòu)建,經(jīng)過(guò)優(yōu)化可在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。
低電容
優(yōu)化了高電流時(shí)的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強(qiáng)的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序一起使用
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 53 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類(lèi)型 | PG-TO247 |
安裝類(lèi)型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 4 |
最大漏源電阻值 | 0.042 Ω |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5.7V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | 硅 |