Infineon 600V CoolMO P7 優(yōu)化的超結 MOSFET 將高能效與易用性相結合,是 600V CoolMOS P6 系列的后繼產(chǎn)品。它繼續(xù)在設計過程中兼顧對高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS 第 7 代平臺固有的低柵極電荷 (QG) 可確保其高效率。
MOSFET 適用于硬和諧振切換拓撲,如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓撲結構中,主體二極管硬換向期間具有出色的堅固性
適用于各種終端應用和輸出功率
提供的部件適用于消費和工業(yè)應用
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 26 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-to 247-3. |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.36. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 4 |