STMicroelectronics 功率 mosfet 利用 strippet F7 技術、采用增強的溝道柵極結構、可產生極低的通態電阻、同時還可減少內部電容和柵極電荷、以實現更快、更高效的切換。
在市場上最低的 rds （接通）中
出色的 fom （品質因數）
低 crs/ciss 比、可實現 emi 抗擾性
高耐雪崩性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 120 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Powerflat 5x6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.11 o |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
