產(chǎn)品分類

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      onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET

      訂 貨 號(hào):NVMTS0D7N04CLTXG      品牌:MTS

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NVMTS0D7N04CLTXG MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高熱性能。可潤側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車應(yīng)用。

      體積小( 8 x 8 毫米)
      低 RDS(接通)
      低 QG 和電容
      可潤側(cè)翼選件
      支持 PPAP
      緊湊設(shè)計(jì)
      最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
      增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)
      應(yīng)用
      反向器電池保護(hù)
      切換電源
      電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
      最終產(chǎn)品
      電動(dòng)機(jī)控制 - EPS 、雨刷、風(fēng)扇、座椅等
      負(fù)載開關(guān) - ECU 、底盤、車身


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 433 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類型 Dfnw
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 630 μΩ μ a
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 1V
      最大功率耗散 205 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      典型柵極電荷@Vgs 99 nc @ 4.5 V
      寬度 8mm
      長度 8.1mm
      最高工作溫度 +175 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      暫無

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