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      Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET

      訂 貨 號:IPD30N06S4L23ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET
      產(chǎn)品詳細信息

      Infineon 55V 的 60V n 通道汽車功率 mosfet 系列范圍廣泛、它采用最新的最佳 mosfet 技術(shù)、封裝范圍廣、 rds (接通)范圍從 1.5m? m 2 到 160m?The 2 ;采用 OptiMOS5 技術(shù)的新型 60V 汽車 mosfet 系列可提供更大功率和領(lǐng)先性能。優(yōu)化用于驅(qū)動器和功率轉(zhuǎn)換應用的時候、可減少傳導損耗。SSO8 ( 5x6mm2 )和 S3O8 ( 3x3mm2 )更小的無引線封裝與 dak 區(qū)域相比、可節(jié)省 50% 以上的空間。

      N 通道 - 增強模式
      符合 aec Q101 標準
      MSL1 高達 260°C 峰值回流焊接
      175°C 工作溫度
      綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標準)
      100% 雪崩測試
      60V 時全球最低 rds (接通)
      最高電流容量
      開關(guān)和傳導功率損耗最低、可實現(xiàn)最高熱效率
      具有卓越質(zhì)量和可靠性的堅固封裝
      經(jīng)過優(yōu)化的總柵極電荷可實現(xiàn)更小的驅(qū)動器輸出級


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 30 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 PG-TO252
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 0.023 o
      通道模式 增強
      最大柵閾值電壓 16V
      每片芯片元件數(shù)目 2
      暫無

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