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訂 貨 號:IPD30N06S4L23ATMA2 品牌:英飛凌_Infineon
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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Infineon 55V 的 60V n 通道汽車功率 mosfet 系列范圍廣泛、它采用最新的最佳 mosfet 技術(shù)、封裝范圍廣、 rds (接通)范圍從 1.5m? m 2 到 160m?The 2 ;采用 OptiMOS5 技術(shù)的新型 60V 汽車 mosfet 系列可提供更大功率和領(lǐng)先性能。優(yōu)化用于驅(qū)動器和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的時(shí)候、可減少傳導(dǎo)損耗。SSO8 ( 5x6mm2 )和 S3O8 ( 3x3mm2 )更小的無引線封裝與 dak 區(qū)域相比、可節(jié)省 50% 以上的空間。
N 通道 - 增強(qiáng)模式
符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
100% 雪崩測試
60V 時(shí)全球最低 rds (接通)
最高電流容量
開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗最低、可實(shí)現(xiàn)最高熱效率
具有卓越質(zhì)量和可靠性的堅(jiān)固封裝
經(jīng)過優(yōu)化的總柵極電荷可實(shí)現(xiàn)更小的驅(qū)動器輸出級
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 30 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PG-TO252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.023 o |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 16V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |