STMicroelectronics 、 m篩 網 M2 技術開發的 n 溝道功率 mosfet 。得益于其條狀布局和改進的垂直結構、該設備具有低接通電阻和優化的切換特性、使其適用于要求最嚴苛的高效率轉換器。
極低柵極電荷
極佳的輸出電容（ cos ）輪廓
通過 100% 雪崩測試
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.5 A |
| 最大漏源電壓 | 25 V |
| 封裝類型 | SOT223 － 2 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.25 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
