STMicroelectronics 產品是基于最具創新性的超結 MDmesh DM9 技術的 N 通道功率 MOSFET，適用于具有很低單位面積 RDS 和快速恢復二極管的中高壓 MOSFET。硅基 DM9 技術受益于多漏制造工藝，可實現增強型器件結構。快速恢復二極管具有很低的恢復電荷、時間和導通 RDS，確保該快速開關超結功率 MOSFET 可適用于最具挑戰性的高效橋接拓撲和 ZVS 相移變換器。
快速恢復體二極管
達到硅基快速恢復二極管單位面積導通 RDS 全球最具水平
低柵極電荷、輸入電容和電阻
100% 雪崩測試，
極佳 dv/dt 性能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 56 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 通孔 |
