Infineon 的最新一代 OptiMOS? 5 100V 功率 MOSFET 專門設計用于電信系統和服務器電源的同步整流。此外，這些器件還可用于其他工業應用，如太陽能、低電壓驅動器和適配器。新款 OptiMOS? 5 100V MOSFET 采用七種不同封裝，提供業內最低的 R DS(on)。
經優化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達 44%
與上一代產品相比，R DS(on) 下降多達 43%
優點：
最高系統效率
減少切換和傳導損耗
所需并聯減少
功率密度增加
低電壓過沖
目標應用：
電信
服務器
太陽能
低電壓驅動器
輕型電動車
適配器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 176 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | TO 263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + 2 Tab |
| 最大漏源電阻值 | 2.5 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 寬度 | 11.05mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.31mm |
