850V 超結(jié) X 類(lèi)功率 MOSFET，具有快速體二極管，代表 IXYS 公司新推出的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。這些堅(jiān)固耐用的設(shè)備具有行業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻，在高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常高的功率密度。采用電荷補(bǔ)償原理和專(zhuān)有工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)而成，全新的 850V 設(shè)備具有最低通態(tài)電阻（例如，SOT-227 封裝為 33 毫歐，PLUS264 為 41 毫歐），并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。

超低接通電阻 RDS（接通）和柵極電荷 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級(jí)
低封裝電感
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝