當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較





訂 貨 號(hào):STP3NK50Z 品牌:Tronics
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

隨著 650 V 器件的引入,超接合 MOSFET 的 M2 系列得以擴(kuò)展,確保為更多堅(jiān)固且可靠的應(yīng)用提供更高的安全界限。具有低接通電阻(采用 TO-220 封裝,低至 0.36Ω)及低柵極電荷和低輸入/輸出電容,可用于高效適配器、微型太陽(yáng)能逆變器和照明應(yīng)用。
此器件是提供齊納保護(hù)的 N 通道功率 MOSFET,采用 STMicroelectronics 的 SuperMESH? 技術(shù)開發(fā)而成,通過(guò)優(yōu)化 ST 久享盛譽(yù)、基于條帶的 PowerMESH? 布局而實(shí)現(xiàn)。此外,此器件可顯著降低接通電阻,確保為最嚴(yán)苛的應(yīng)用提供高級(jí)別的 dv/dt 能力。
極高 dv/dt 能力
ESD 能力改進(jìn)
通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試
將柵極電荷降至最低
提供齊納保護(hù)
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 2.3 A |
| 最大漏源電壓 | 500 V |
| 封裝類型 | TO220AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 3.3 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 3V |
| 最大功率耗散 | 45 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | 4.6mm |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長(zhǎng)度 | 10.4mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |