英飛凌 CoolMOS C7 是一項針對高壓功率 MOSFET 的革命性技術，根據超結 (SJ) 原理設計，由英飛凌技術開創。此系列將領先的超結 MOSFET 供應商的經驗與高級創新結合在一起。600V C7是有史以來第一個RDS（接通）A低于1Ohm*mm2的技術。 它適用于硬質和軟質切換（PFC 和高性能 LLC）。它的MOSFET dv/dt耐用性提高到120V/ns，并提高了效率。
通過降低開關損耗實現更高的系統效率
功率密度增加的解決方案得益于由于較小的封裝
適用于服務器、電信和太陽能等應用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 35 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
