STMicroelectronics 功率 mosfet 利用寬帶隙材料 Advanced 、 innovative properties 。sic 材料具有出色的熱特性。
導通電阻與之間的差異非常小溫度
極高的工作接點溫度能力
非常快速且堅固的固有主體二極管
低電容
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 20 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | H2PAK-2 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.203 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 239V |
| 晶體管材料 | SiC |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
