the Infineon coolmos 是一項革命性的高電壓功率功率功率半導體技術、它根據超接線（ sj ）原理設計、由 Infineon 技術開創。最新 coolmos P7 是一款優化平臺、專為消費市場中的成本敏感型應用而定制、如充電器、適配器、照明、電視等。新系列提供快速切換超級結 mosfet 的所有優勢、 結合出色的性價比和最先進的易用性。該技術符合最高效率標準、并支持高功率密度、使客戶可以實現超薄設計。
它具有出色的熱行為
集成 esd 保護二極管
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4 A |
| 最大漏源電壓 | 700 V |
| 封裝類型 | Pg 至 252-3 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.4 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
