ON Semiconductor 650 V , 42 mΩ N 溝道碳化硅 MOSFET。碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技術(shù),與硅相比,可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外,低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。因此,系統(tǒng)優(yōu)勢包括最高效率,更快的操作頻率,更高的功率密度,更低的 EMI 和更小的系統(tǒng)尺寸。
高接點溫度
高速切換和低電容
Vgs = 18V , mΩ = 66A 時,最大 RDS (接通) = 50 m Ω
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 66 A |
最大漏源電壓 | 650 V |
封裝類型 | TO-247 |
安裝類型 | 通孔 |