這些高電壓 n 溝道功率高的功率半導體是 mdmesh ? DM6 快速恢復二極管系列的一部分。與之前的 mdmesh 快速生成相比、 DM6 結合了極低的恢復電荷（ qrr ）、恢復時間（ trr ）和 rds （接通） * 區域的極佳改進、以及市場上最有效的切換行為之一、適用于最嚴苛的高效橋接拓撲和 zvs 相移轉換器。
快速恢復體二極管
與上一代相比、每區域的 rds （接通）更低
低柵極電荷、輸入電容和電阻
極高 dv/dt 能力
提供齊納保護
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 72 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 36 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.75V |
| 最小柵閾值電壓 | 3.25V |
| 最大功率耗散 | 446 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±25 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 15.9mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 117 nC @ 10 V |
| 寬度 | 5.1mm |
