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      onsemi NTMFS0D8N03CT1G MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：NTMFS0D8N03CT1G        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               onsemi NTMFS0D8N03CT1G MOSFET
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                            on ON Semiconductor 30V?了 337 a 的漏極電流和單 n μ a 的溝道。它改進了浪涌電流管理、還提高了系統效率。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            高級 Advanced （高級軟件包）（ 5x6mm 
      超低 rds （接通）、可提高系統效率 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    337 a
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    30 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    DFN
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.00115 Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    2.2V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    1
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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