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      onsemi NTMT095N65S3H MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：NTMT095N65S3H        品牌：安森美_Onsemi
      
                      
       庫存數(shù)量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               onsemi NTMT095N65S3H MOSFET
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                            ON Semiconductor?FET 系列是全新高電壓超結 MOSFET ，利用電荷平衡技術實現(xiàn)卓越的低接通電阻和更低柵極電荷性能。此 Advanced 技術專為有效減少傳導損耗而設計，提供卓越的切換性能，并可耐受極端 dv/dt 速率。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低有效輸出電容
      通過 100% 雪崩測試
      低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
      無鉛?Ω
      符合 RoHS 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數(shù)值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續(xù)漏極電流
                    30 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    650 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TDFN4
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    表面貼裝
                
      
            
                
      
                    引腳數(shù)目
                    8
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.095 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數(shù)目
                    1
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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