汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封裝,設計緊湊高效,具有高熱性能。MOSFET 和 PPAP 適用于需要增強板級可靠性的汽車應用。
體積小巧 (5 x 6 mm),可實現緊湊設計
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅動器損耗
LFPAK8 封裝,工業標準
支持 PPAP
這些設備無鉛、無鹵素/無 BFR
屬性 | 數值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續漏極電流 | 235 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | LFPAK |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 1.3 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.5V |
最小柵閾值電壓 | 2.5V |
最大功率耗散 | 128 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
寬度 | 4.9mm |
典型柵極電荷@Vgs | 65nc @10V |
每片芯片元件數目 | 1 |
長度 | 5mm |
最高工作溫度 | +175 °C |