Infineon 雙功率 MOSFET 集成了兩個 HEXFET? 設(shè)備,以便在板空間要求嚴格的高元件密度設(shè)計中提供經(jīng)濟實惠節(jié)省空間的切換解決方案。 提供各種封裝選項,設(shè)計人員可以選擇雙 N 通道配置。
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.4 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | MSOP |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 1.2V |
最小柵閾值電壓 | 0.6V |
最大功率耗散 | 1.3 W |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大柵源電壓 | -12 V、+12 V |
典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
晶體管材料 | Si |
寬度 | 3mm |
長度 | 3mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |