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      Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SiR582DP-T1-RE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Vishay SiR582DP-T1-RE3 MOSFET
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                            這款 Vishay TrenchFET N 溝道功率 MOSFET 的漏極電流為 116 A，用于同步整流、初級側開關、直流/直流轉換器和電機驅動開關。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            極低的 RDS x Qg 品質因數（FOM）
      經過調諧，適合最低的 RDS x Qoss FOM
      100 % Rg 和 UIS 測試 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    116 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    80 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    PowerPAK SO-8
                
      
            
                
      
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