Vishay MOSFET 是 N 溝道， IN-263-3 封裝，是一種新時代的產品，漏極源電壓為 400V ，最大柵極源電壓為 30V。它在柵極源電壓為 10V 時具有 10mohm 的漏 - 源電阻。MOSFET 的最大功耗為 74W。 此產品經過優化，可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命，而不會影響性能或功能。
?完全特征化的電容和雪崩電壓和電流
?無鹵素和無鉛 (Pb) 組件
?改進的柵極，雪崩和動態 dV/dt
?低柵極電荷 Qg 可實現簡單的驅動要求
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
?高速功率切換
?開關模式電源 (SMPS)
? UPS（不間斷電源）
