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Wolfspeed 在 SiC 技術方面的領先地位得到了擴展、在新的低電感離散封裝中引入了 Advanced SiC MOSFET 技術。新推出的封裝使工程師能夠充分利用最新 C3MTM 平面 MOSFET 芯片的高頻功能。設計人員可以通過從基于硅的三層拓撲轉(zhuǎn)變?yōu)楦唵蔚膬蓪油負鋪頊p少組件數(shù)量、這是由于交換性能的提高而得以實現(xiàn)的。此設備具有低接通電阻和低柵極電荷、非常適合三相、無橋接 PFC 拓撲以及交流 - 交流轉(zhuǎn)換器和充電器。

在整個工作溫度范圍內(nèi)、最小值為 1200V VBR
新低阻抗封裝，帶驅(qū)動器源
>漏極和離子源之間有 7 毫米的滲漏 / 間隙
高速切換，具有低輸出電容
高阻塞電壓，具有低 RDS（接通）
快速固有二極管，具有低反向恢復（反向恢復電荷）
易于并行且易于驅(qū)動