為了提高效率、功率密度和成本效益、開發了英飛凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半導體器件。專為高性能應用而設計、并針對高切換頻率進行了優化、因此、這些產品具有業內最佳的品質?，F在、作為強大的 irfet 的補充、該產品組合提供了一個真正強大的組合。得益于強大的 irfet 功率極高的器件和出色的性價比以及杰出的最佳的技術。兩個產品系列都能滿足高品質標準和性能要求。該接合產品組合涵蓋 12V 至 300V 的電壓、可滿足從低到高切換頻率的各種需求、如開關電源、電池供電應用、電動機控制和驅動器、變頻器和計算。
寬 soa 的平面單元結構
針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優化
產品資格符合 dec 標準
硅經優化用于切換低于 <100KHz 的應用
工業標準表面安裝電源封裝
能夠進行波焊
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 5.4 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.039 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
