Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通過在待機(jī)和完全操作中實現(xiàn)最高功率密度和能效,提供基準(zhǔn)解決方案。它提供 0.55 m Ω 的漏極源通態(tài)電阻。
最高效
SuperSO8 封裝中具有最高功率密度
降低整體系統(tǒng)成本
符合 RoHS
無鹵素
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 433 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | TDSON |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0055 Ω |
最大柵閾值電壓 | 1.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |