英飛凌 OptiMOS? 5 N 溝道功率 MOSFET 具有 25 V 漏源電壓（VDS）和 134 A 漏電流（ID）。提供基準解決方案，可在待機和全操作下實現(xiàn)最高功率密度和能效。它具有同類最佳的接通電阻，可廣泛用于臺式機和服務器、高功率密度電壓調節(jié)器等。

經優(yōu)化，用于高性能降壓轉換器
單片集成肖特基二極管
低接通電阻 RDS(on)@VGS = 4.5V
100% 雪崩測試
N 溝道
針對目標應用，符合 JEDEC1 標準
無鉛引線鍍層
符合 RoHS 標準
符合 IEC61249-2-21 標準無鹵素