產(chǎn)品分類(lèi)

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      onsemi NVMJS1D5N04CLTWG MOSFET

      訂 貨 號(hào):NVMJS1D5N04CLTWG      品牌:安森美_Onsemi

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      onsemi NVMJS1D5N04CLTWG MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      汽車(chē)功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車(chē)應(yīng)用。

      體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
      低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
      低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
      LFPAK8 封裝、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
      支持 PPAP
      這些設(shè)備無(wú)鉛


      屬性 數(shù)值
      通道類(lèi)型 N
      最大連續(xù)漏極電流 200 A
      最大漏源電壓 40 V
      封裝類(lèi)型 LFPAK
      安裝類(lèi)型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 2.2 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 110 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±20 V
      最高工作溫度 +175 °C
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 4.9mm
      長(zhǎng)度 5mm
      典型柵極電荷@Vgs 70 nC @ 10 V
      暫無(wú)

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