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訂 貨 號(hào):NVMJS1D5N04CLTWG 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
汽車(chē)功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可潤(rùn)側(cè)翼選件可用于增強(qiáng)型光學(xué)檢驗(yàn)。支持 MOSFET 和 PPAP,適用于汽車(chē)應(yīng)用。
體積小巧 (5 x 6 mm),可實(shí)現(xiàn)緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS(接通),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
LFPAK8 封裝、工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
支持 PPAP
這些設(shè)備無(wú)鉛
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 200 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類(lèi)型 | LFPAK |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2V |
最小柵閾值電壓 | 1.2V |
最大功率耗散 | 110 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
最高工作溫度 | +175 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 4.9mm |
長(zhǎng)度 | 5mm |
典型柵極電荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |