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      Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET

      訂 貨 號(hào):IPB64N25S320ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IPB64N25S320ATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      功能摘要:
      N 通道 - 增強(qiáng)模式
      175°C 工作溫度
      綠色產(chǎn)品
      優(yōu)點(diǎn):
      Trench 技術(shù)中的低 RDS(接通)- 低至 19.3 mΩ
      最高電流容量 64A
      以低開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗實(shí)現(xiàn)高熱效率
      具有卓越質(zhì)量和可靠性的堅(jiān)固封裝
      經(jīng)過優(yōu)化的總柵極電荷可實(shí)現(xiàn)較小的驅(qū)動(dòng)器輸出級
      目標(biāo)應(yīng)用:
      混合變頻器
      直流/直流
      壓電注塑


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 64 A
      最大漏源電壓 250 V
      封裝類型 TO-263
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 3
      最大漏源電阻值 20 MΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 4V
      最小柵閾值電壓 2V
      最大功率耗散 300 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 20 V
      典型柵極電荷@Vgs 67 nC @ 10 V
      寬度 10.25mm
      每片芯片元件數(shù)目 1
      最高工作溫度 +175 °C
      長度 10mm
      暫無

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