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      Vishay SiHG17N80AEF-GE3 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：SiHG17N80AEF-GE3        品牌：威世_Vishay
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Vishay SiHG17N80AEF-GE3 MOSFET
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                            Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關和傳導損耗。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            低品質因數 (FOM) Ron x Qg
      低有效電容 (Co (er)) 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    15 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    850 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    TO-247AC
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    通孔
                
      
            
                
      
                    引腳數目
                    3
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.305. Ω
                
      
            
                
      
                    通道模式
                    增強
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    4V
                
      
            
                
      
                    每片芯片元件數目
                    2
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    Si
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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