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Infineon 600V coolmos ? C7 超結（ sj ） mosfet 系列的關閉損耗（ e oss ）比 coolmos ? cp 減少 ～50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結構中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。

減小開關損耗參數(shù)，如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質因數(shù) Q G*R DS（接通）
增加切換頻率
全球最佳的 R（接通）*A
堅固的體二極管