12 V，N 溝道 Trench MOSFET，N 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
Trench MOSFET 技術
無引線超小型和薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
裸露的散熱墊，用于提供極佳的熱傳導
靜電放電 (ESD) 保護 1 kV
超低漏-源導通電阻 RDSon = 34 m?
超低閾值電壓：0.65 V，用于便攜式應用
低側負載開關和充電開關，用于便攜式設備
電池驅動便攜式設備的電源管理
LED 驅動器
直流 - 直流轉換器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 3.2 A |
| 最大漏源電壓 | 12 V |
| 封裝類型 | DFN1010D-3, SOT1215 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 121 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 8.33 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 8 V |
| 每片芯片元件數目 | 3 |
| 寬度 | 1.05mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 66 nC @ 10 V |
| 長度 | 1.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
