產(chǎn)品分類

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      Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3 MOSFET

      訂 貨 號(hào):SiSH617DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

      庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價(jià):¥0.00

      環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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      Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      TrenchFET? power MOSFET


      屬性 數(shù)值
      通道類型 P
      最大連續(xù)漏極電流 35 A
      最大漏源電壓 30 V
      封裝類型 1212
      安裝類型 表面貼裝
      引腳數(shù)目 8
      最大漏源電阻值 20 mΩ
      通道模式 增強(qiáng)
      最大柵閾值電壓 2.5V
      最小柵閾值電壓 1.2V
      最大功率耗散 52 W
      晶體管配置
      最大柵源電壓 ±25 V
      最高工作溫度 +150 °C
      典型柵極電荷@Vgs 10 V 時(shí),39 常閉
      長(zhǎng)度 3.15mm
      晶體管材料 Si
      每片芯片元件數(shù)目 1
      寬度 3.15mm
      暫無(wú)

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