Infineon 800V cool mos P7 超結 mosfet 系列可完全滿足市場對性能、易用性和性價比的需求、因此非常適合低功率的開關電源應用。它主要用于回飛應用、包括適配器和充電器、 led 驅動器、音頻開關電源、輔助和工業電源。與之前的產品以及在典型回飛應用中經過測試的競爭產品相比、此新產品系列可提供高達 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 溫度。它還可通過更低的切換損耗和更好的 dak r ds （ on ）產品實現更高的功率密度設計。總體而言、它可幫助客戶節省 bom 成本并減少裝配工作量。
杰出的 fom r ds （ on ） *
減少 qg 、 c is 和 c oss
杰出的 dak r ds （ on ） of 280m?
杰出的 v （ gs ） 3V 和最小的 v （ gs ± 0.5 v
集成齊納二極管 esd 保護、高達 2 類（ hbm ）
杰出的質量和
完全優化的產品組合
0.1% 至 0.6% 效率增益和 2°c 至 8°c 更低 mosfet 溫度與 cool mos ? C3 相比
實現更高的功率密度設計、 bom 節省和更低的裝配成本
易于驅動和設計
通過減少與 esd 相關的故障、提高生產率
減少生產問題并減少現場退貨
易于選擇合適的部件、用于微調設計
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 7 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | Pg 至 251 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.75 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
| 每片芯片元件數目 | 4 |
