Microchip 增強型 (常閉) 晶體管采用垂直 DMOS 結構和 Supertex 久經考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應用。
無次級擊穿
低功率驅動要求
易于并聯
低 CISS 和快速切換速度
極好的熱穩定性
一體式源極-漏極二極管
高輸入阻抗和高增益
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 250 mA |
| 最大漏源電壓 | 90 V |
| 封裝類型 | TO-92 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 8 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.5V |
