當(dāng) N 溝道不適合您的設(shè)計(jì)時(shí)，P 溝道 MOSFET 將會(huì)特別適合您的設(shè)計(jì)，我們廣泛的 MOSFET 產(chǎn)品目錄還包括許多 P 溝道設(shè)備系列，基于 Nexperia 的領(lǐng)先 Trench 技術(shù)。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。

30 V，雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用無(wú)引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

低閾值電壓
無(wú)引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技術(shù)
靜電放電 (ESD) 保護(hù)：> 2 kV HBM
繼電器驅(qū)動(dòng)器
高速線路驅(qū)動(dòng)器
高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電路