當 N 溝道不適合您的設計時，P 溝道 MOSFET 將會特別適合您的設計，我們廣泛的 MOSFET 產品目錄還包括許多 P 溝道設備系列，基于 Nexperia 的領先 Trench 技術。額定電壓范圍為 12 V 到 70 V，采用中低功率封裝，提供我們熟悉的高效率和高可靠性。
30 V，雙 P 溝道 Trench MOSFET，雙 P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
低閾值電壓
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Trench MOSFET 技術
靜電放電 (ESD) 保護：> 2 kV HBM
繼電器驅動器
高速線路驅動器
高側負載開關
開關電路
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | -410 mA |
| 最大漏源電壓 | -30 V |
| 封裝類型 | DFN1010B-6, SOT1216 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 5.1 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -0.95V |
| 最小柵閾值電壓 | -0.45V |
| 最大功率耗散 | 4030 mW |
| 最大柵源電壓 | 8 V |
| 寬度 | 1.05mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 1.15mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 6 |
