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      Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET
      
                  
      
                  
      
                      
       訂  貨 號：F411MR12W2M1B76BOMA1        品牌：英飛凌_Infineon
      
                      
       庫存數量：10                    品牌屬性：進口
      
                      
       品牌商價：￥0.00 
      
                      
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               Infineon F411MR12W2M1B76BOMA1 MOSFET
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                            Infineon IGBT 模塊 FET 類型為 4 個 N 通道（半橋），可在 1200V 漏源電壓和 100A 連續漏極電流下工作。 
                        
                    
      
                
                
            
                
                
                
                    
      
                        
                            底盤安裝
       -40°C 至 150°C 工作溫度 
                        
                    
      
                
            

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      

            
            

            
            
      
                
            
      

            
            

            
            

            
            
        
      

        
        
      
            

            

            
        

      
            
      
                屬性
                數值
            
      
            
                
      
                    通道類型
                    N
                
      
            
                
      
                    最大連續漏極電流
                    100 A
                
      
            
                
      
                    最大漏源電壓
                    1200 V
                
      
            
                
      
                    封裝類型
                    AG-EASY1B-2
                
      
            
                
      
                    安裝類型
                    螺絲安裝
                
      
            
                
      
                    最大漏源電阻值
                    0.0113 Ω
                
      
            
                
      
                    最大柵閾值電壓
                    5.55V
                
      
            
                
      
                    晶體管材料
                    SiC
                
      
            
        
      
             
      
              
              
              
              
              
              
            
      
            

            
      
          
      

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