the Infineon ex場 功率 mosfet 系列具有 55V 的最大漏極源電壓、是采用 d-pak 封裝類型的單個 n 溝道 hex場 功率 mosfet 。國際整流器的英飛凌系列第五代 hex場 效應晶體管利用先進的處理技術 Advanced on resistance for Infineon area 的導通電阻極 International Rectifier 。此優勢結合了 ex場 效應晶體管聞名的快速切換速度和耐震設備設計、可提供足夠的電平設備、為設計人員提供極其高效和可靠的設備、適用于各種應用。d-pack 設計用于使用汽相、紅外線或波焊技術進行表面安裝。
先進的工藝技術
超低接通電阻
無鉛
完全耐雪崩等級
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 42 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | DPAK (TO-252) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.027. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
