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      Infineon IQE030N06NM5CGATMA1 MOSFET

      訂 貨 號:IQE030N06NM5CGATMA1      品牌:GAT

      庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

      品牌商價:¥0.00

      環(huán) 球 價: 登陸后可查看

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      公司基本資料信息







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      Infineon IQE030N06NM5CGATMA1 MOSFET
      產(chǎn)品詳細(xì)信息

      英飛凌 PQFN 3.3x3.3 封裝的 OptiMOSTM 5 60 V 源極底置功能具有 60 V 電壓和 3.0 m Ω 的低導(dǎo)通電阻。它具有多種優(yōu)勢,如熱能力增強(qiáng)、功率密度大或可改善布局。此外,高效率更、低有源冷卻要求和有效的熱管理布局都是系統(tǒng)級的優(yōu)勢。

      印刷電路板損耗降低
      可實現(xiàn)最高功率密度和性能


      屬性 數(shù)值
      通道類型 N
      最大連續(xù)漏極電流 137 A
      最大漏源電壓 60 V
      封裝類型 PQFN
      安裝類型 表面貼裝
      暫無

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