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the Infineon ex場 功率 mosfet 采用雙 so-8 封裝，利用最新工藝技術(shù)，可在每個(gè)硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。這些 hex場 功率 mosfet 的其他特點(diǎn)包括 175°c 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些優(yōu)勢相結(jié)合、使此設(shè)計(jì)成為極其高效和可靠的設(shè)備、適用于各種其他應(yīng)用。so-8 封裝的額定溫度為 175°c 、可提供更高的熱性能和更安全的工作區(qū)域、雙 mosfet 模具能力使其特別適用于各種電源應(yīng)用。此雙路表面安裝 so-8 可顯著減少板空間、還提供帶裝和卷裝。

先進(jìn)的工藝技術(shù)
雙 N 溝道 MOSFET
超低接通電阻
175°C 工作溫度
重復(fù)雪崩允許高達(dá) Tjmax
無鉛