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訂 貨 號(hào):IRF7341GTRPBF 品牌:國際整流器_IR
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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the Infineon ex場 功率 mosfet 采用雙 so-8 封裝,利用最新工藝技術(shù),可在每個(gè)硅片區(qū)域?qū)崿F(xiàn)極低的接通電阻。這些 hex場 功率 mosfet 的其他特點(diǎn)包括 175°c 結(jié)點(diǎn)工作溫度、快速切換速度和改進(jìn)的重復(fù)雪崩額定值。這些優(yōu)勢相結(jié)合、使此設(shè)計(jì)成為極其高效和可靠的設(shè)備、適用于各種其他應(yīng)用。so-8 封裝的額定溫度為 175°c 、可提供更高的熱性能和更安全的工作區(qū)域、雙 mosfet 模具能力使其特別適用于各種電源應(yīng)用。此雙路表面安裝 so-8 可顯著減少板空間、還提供帶裝和卷裝。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
雙 N 溝道 MOSFET
超低接通電阻
175°C 工作溫度
重復(fù)雪崩允許高達(dá) Tjmax
無鉛
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 最大連續(xù)漏極電流 | 5.1 A |
| 最大漏源電壓 | 55 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大漏源電阻值 | 65 個(gè)月 |
| 最大柵閾值電壓 | 1V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 2 |