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訂 貨 號(hào):NTMFS4D2N10MDT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工藝生產(chǎn)、該工藝采用屏蔽柵極技術(shù)。此過(guò)程經(jīng)過(guò)優(yōu)化、有效減少通態(tài)電
低 rds (接通)可有效減少傳導(dǎo)
低 qg 和電容、有效減少驅(qū)動(dòng)器
低 qrr 、軟恢復(fù)體二極管
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類(lèi)型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 113 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類(lèi)型 | DFN |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 引腳數(shù)目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0043 Ω |
| 通道模式 | 增強(qiáng) |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |